Lateral semiconductor devices having high withstand voltage and methods for making the same

Halbleiterbauelement mit hoher Spannungsfestigkeit, die einen Halbleiterkorper (1) mit einer Oberseite (2) und einer Unterseite (3) aufweisen, wobei unterhalb der Oberseite (2) eine in mehrere Driftbereiche (4 bis 7) unterteilte Driftzone (8) eines ersten Leitungstyps angeordnet ist und wobei sich die Driftbereiche (4 bis 7) der Driftzone (8) in einer ersten lateralen Richtung (9) erstrecken und von einer hochdotierten langgestreckten ersten Anschlusszone (10), die sich nahezu senkrecht zu der ersten lateralen Richtung (9) in eine zweite laterale Richtung (11) erstreckt, einseitig begrenzt sind und wobei eine der ersten Anschlusszone (10) nahezu parallel gegenuberliegend angeordnete zweite Anschlusszone (12) derart strukturiert ist, dass die Driftbereiche (4 bis 7) der Driftzone (8) in die zweite Anschlusszone (12) in der Draufsicht des Halbleiterelements lateral hineinragen, wobei zwischen den Driftbereichen (4 bis 7) der Driftzone (8) Grabenstrukturen (39) in der ersten lateralen R ichtung (9) angeordnet sind und Feldplatten (17 bis 19) aufweisen.