Matériau céramique, élément pour dispositif de fabrication de semiconducteur, élément cible de pulvérisation et procédé de fabrication de matériau céramique

Le materiau ceramique selon l'invention contient, comme constituants principaux, du magnesium, de l'aluminium, de l'oxygene et de l'azote, et presente, comme phase principale, une phase cristalline d'une solution solide de MgO-AlN, dans laquelle le nitrure d'aluminium est en solution solide dans un oxyde de magnesium. La solution solide MgO-AlN presente de preference un pic entre le pic de l'oxyde de magnesium cubique et le pic du nitrure d'aluminium cubique sur le diffractogramme XRD (CuKα) du plan (200) et du plan (220), 2θ=42,9-44,8°, 62,3-65,2°, et de preference encore un pic entre le pic de l'oxyde de magnesium cubique et le pic du nitrure d'aluminium cubique sur le diffractogramme XRD du plan (111), 2θ=36,9-39°.