Mesure et modélisation du bruit de fond électrique basse fréquence dans les transistors intégrés MOS pour l'exploration des pièges et des défauts dans les technologies SOI récentes

Le travail presente dans ce memoire a pour but d'analyser les transistors MOS de plusieurs technologies SOI recentes par des mesures de bruit excedentaire basse frequence (1/f et lorentzien). Des caracterisations en courant continu a temperature ambiante ou en fonction de la temperature ont permis l'extraction des differents parametres statiques du MOS. L'analyse du bruit en 1/f revele une degradation de la qualite de l'interface Si/SiO2 pour les composants SOI et la densite de pieges d'interface est deduite de ces mesures. Concernant le bruit lorentzien, deux types de lorentziennes ont ete observes suivant la gamme de tension de grille. Dans un cas, la frequence caracteristique ne varie pas avec la tension de grille, ces lorentziennes sont attribuees a des pieges dans la couche de depletion, dont on determine la nature et la densite. Dans le cas contraire, notre analyse a permis d'attribuer ces lorentziennes a un bruit blanc filtre par un reseau RC.