Appareil de dopage par plasma, procédé de dopage par plasma, procédé de fabrication d'élément semi-conducteur, et élément semi-conducteur

L'appareil de dopage par plasma (31) selon l'invention effectue un dopage en injectant un dopant dans un substrat a traiter (W). L'appareil de dopage par plasma (31) comporte : un recipient de traitement (32) dans lequel le dopant est injecte dans le substrat a traiter (W) ; une unite d'alimentation en gaz (33), qui injecte un gaz dopant et un gaz inerte pour l'excitation du plasma a l'interieur du recipient de traitement (32) ; une table de maintien (34), laquelle est disposee dans le recipient de traitement (32) et maintient, sur la table de maintien, le substrat a traiter (W) ; un mecanisme generateur de plasma (39), lequel genere du plasma dans le recipient de traitement (32) au moyen de micro-ondes ; un mecanisme d'ajustement de pression, lequel ajuste la pression dans le recipient de traitement (32) ; et une unite de controle (28) qui controle l'appareil de dopage par plasma (31). L'unite de controle (28) controle le mecanisme d'ajustement de pression de sorte que la pression dans le recipient de traitement (32) est superieure ou egale a 100 mTorr mais inferieure a 500 mTorr, et effectue le traitement par plasma par rapport au substrat a traiter (W) avec le plasma ainsi genere au moyen du mecanisme generateur de plasma (39).