Anisotropic Electrical Properties of GeSe

Vapour grown p-type single crystals of Ge1+xSe, in which x is of the order less than 0.005 are prepared. The crystals include donors and acceptors. From the anisotropy of the electrical resistivity and the Hall coefficient together with the thermoelectric power in the temperature range of 78 to 300 K, the effective masses of holes along the a-, b-, and c-crystallographic axes are obtained to 0.20m, 0.37m, and 6.2m, respectively, where m is the electron mass. The donor level lies 0.17 eV above the valence band, with a concentration in the range of (1.74 to 2.94) × 1024 m−3 according to the variation of x. The concentration of the acceptors is estimated to 3 × 1024 m−3. Ge1+xSe-Einkristalle mit x kleiner als 0,005, die sowohl Donatoren als auch Akzeptoren enthalten, werden aus der Dampfphase gezuchtet. Aus der Anisotropie des elektrischen Widerstandes und des Hallkoeffizienten sowie aus der Thermospannung im Bereich von 78 bis 300 K werden die effektiven Massen des Loches in Richtung der kristallographischen a-, b- und c-Achsen zu 0,20m; 0,37m bzw. 6,2m bestimmt, wobei m die Elektronenmasse ist. Das Donatorniveau liegt 0,17 eV oberhalb des Valenzbandes mit einer Konzentration im Bereich von (1,74 bis 2,94) × 1024 m−3 entspechend der Variation von x. Die Konzentration des Akzeptors wird zu 3 × 1024 m−3 geschatzt.