Secondary Electron Effect on Electric Potential of Insulator Surface during Ion Implantation

Mesure du potentiel a l'aide d'un transistor MOS a effet de champ. Les electrons secondaires emis par les electrodes de la couche de SiO 2 implantee abaissent le potentiel. La distribution du potentiel est trapezoidale. Le potentiel depend legerement du courant I du faisceau quand beaucoup d'electrons secondaires sont emis, et est proportionnelle a I 0,68 quand l'emission est negligeable. On propose une methode de reduction du potentiel par application d'une propose une methode de reduction du potentiel par application d'une tension negative a un tube de Faraday