Réduction de la consommation statique des circuits intégrés en technologie SOI 65 nm partiellement désertée

Les technologies SOI partiellement desertees (PD-SOI), permettent de gagner en performances ou en consommation dynamique, par rapport a leur equivalent sur substrat massif (BULK). Leur inconvenient principal est la consommation statique qui est bien superieure, en raison principalement de l'effet de body flottant de ses transistors. Ce travail propose une technique de reduction de la consommation statique, pour la technologie PD-SOI, basee sur le principe des interrupteurs de puissance. Un nouveau facteur de merite recherchant le meilleur compromis entre vitesse, courant de fuite et surface est introduit pour la selection du meilleur interrupteur de puissance. L'interrupteur de puissance propose apporte par rapport a une solution de reference, et pour le meme courant de fuite en mode eteint, une reduction de la resistance equivalente en mode passant de 20%. Les tests comparatifs sur Silicium de blocs LDPC incluant ces montages montrent, entre PD-SOI et BULK, un gain de 20% en vitesse pour la meme tension d'alimentation, une reduction de 30% de la consommation dynamique pour la meme vitesse et une division par 2 de la consommation statique. Enfin, une bascule de retention, element a associer aux interrupteurs de puissance, optimisee pour le PD-SOI, est proposee. Cette bascule est concue de maniere robuste et peu fuyante.