Estudio de los procesos dispersivos en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por medio de las técnicas de fotorreflectancia y fotoluminiscencia

Presentamos en este trabajo el estudio de procesos dispersivos en pozos cuanticos de InGaAs/InAlAs usando las tecnicas de fotorreflectancia (FR) y fotoluminiscencia (FL). Las muestras de InGaAs/InAlAs fueron crecidas por la tecnica de Deposicion de Vapor Quimico Metal Organico o, MOCVD con anchos de pozos que van desde 6,5 nm hasta 10,5 nm. Los espectros de FR fueron tomados en el rango de temperaturas desde 220 K hasta 300 K y los espectros de FL en el rango de temperaturas desde 11K hasta 300K. Se hizo un analisis comparativo de las formas de linea de los espectros de FR y FL, encontrandose ensanchamientos inhomogeneos en los espectros, los cuales fueron atribuidos a tensiones locales en la interface pozo-barrera. De los respectivos analisis, se logro identificar que el principal proceso dispersivo presente en las transiciones opticas estudiadas, obedece a la interaccion exciton-fonon.