液相渗Si工艺制备2D CF/SiC复合材料中SiC晶粒的生长机制

由液相渗硅工艺（LSI）制得了2D CF/SiC 复合材料，经过XRD分析得知材料中SiC均为β相。经过同质量比的K3Fe（CN）6与KOH混合水溶液对其进行腐蚀，由SEM观察腐蚀后2D CF/SiC 复合材料的形貌，发现其中SiC呈现细等轴晶和粗大晶粒两种不同的形貌。分析认为LSI工艺制备2D CF/SiC 复合材料中生成的SiC有两种生成机制：Si原子通过空位机制向碳中扩散形成无定型SiC，在保温过程中结晶形成细晶SiC层；C原子扩散进入熔融态硅中形成C—Si基团，由于温度梯度和浓度梯度的存在，在远离C/SiC界面处过饱和析出，通过溶解-沉淀机制形成粗大的SiC晶体，在晶粒的长大过程中伴随着层错的出现。