ПОГЛОЩЕНИЕ И ЭМИССИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ДИАПАЗОНА В ЛЕГИРОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ GAAS/ALGAAS

Исследовано спонтанное излучение терагерцевого спектрального диапазона из структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле. Показано, что отдельные полосы в спектре излучения могут быть связаны с излучательными переходами электронов между резонансными и локализованными состояниями примеси, а также с переходами с участием зонных состояний. Исследованы температурная зависимость равновесного внутризонного поглощения терагерцевого излучения и его модуляция в продольном электрическом поле в квантовых ямах GaAs/AlGaAs.