Élément d'imagerie à semi-conducteurs, dispositif électronique, et procédé de fabrication d'élément d'imagerie à semi-conducteurs

La presente invention concerne : un element d'imagerie a semi-conducteurs qui peut empecher une diminution de la sensibilite de reception de lumiere d'une photodiode a avalanche ; un dispositif electronique ; et un procede de fabrication d'un element d'imagerie a semi-conducteurs. L'element d'imagerie a semi-conducteurs est pourvu : d'une photodiode a avalanche qui comprend une premiere zone d'un premier type de conductivite et une seconde zone d'un second type de conductivite, qui est different du premier type de conductivite, s'etendant respectivement dans la direction de l'epaisseur d'un substrat semi-conducteur, et une zone d'avalanche qui est prise en sandwich entre la premiere zone et la seconde zone ; et d'un film qui est forme sur au moins une surface du substrat semi-conducteur, et est constitue d'un film d'oxyde metallique, d'un film de nitrure metallique ou d'un film de cristaux mixtes d'un film d'oxyde metallique et d'un film de nitrure metallique. La presente invention est applicable, par exemple, a un capteur d'image CMOS.