ELECTRODEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF ZnX (X=Se, Te) SEMICONDUCTOR THIN FILMS

El presente trabajo describe la sintesis y la caracterizacion de peliculas delgadas de ZnX (X = Se y Te) obtenidas por electrodeposicion a potencial constante en medio acido. Previamente, se realizo un estudio voltametrico y fotovoltametrico sobre diferentes substratos conductores los que permitieron determinar las mejores condiciones para la electro obtencion de estos compuestos. Las peliculas delgadas de ZnSe y de ZnTe fueron analizadas por diferentes tecnicas (SEM, EDS, XRD y medidas opticas). Las peliculas de ZnTe presentaron una composicion muy cercana a la estequiometrica, en tanto que las de ZnSe presentaron un exceso de Se el cual puede ser eliminado por un adecuado tratamiento termico. La caracterizacion optica de ambos semiconductores depositados sobre titanio arrojo valores de ancho de banda prohibida de transicion directa de 2,64 eV para ZnSe y 2,27 eV para ZnTe, muy cercanos a los aceptados en bibliografia.