Elément laser semi-conducteur

La presente invention concerne un element laser semi-conducteur (1) qui comprend une couche active (11), une couche de blocage de porteur du type n (13) qui est disposee de facon a etre adjacente a la couche active (11) et qui presente une largeur de bande interdite plus large que celle d’une couche barriere (11b), une couche de guide d’onde du type n (14) qui est disposee sur le cote oppose a la couche active (11) de la couche de blocage de porteur du type n (13) de facon a etre adjacente a la couche de blocage de porteur du type n (13), une couche de placage du type n (15) qui est disposee sur le cote oppose a la couche active (11) de la couche de guide d’onde du type n (14) de facon a etre adjacente a la couche de guide d’onde du type n (14) et qui presente une largeur de bande interdite plus large que celle de la couche de guide d’onde de type n (14), et une couche de placage de type p (12) qui est disposee sur le cote oppose a la couche de blocage de porteur de type n (13) de la couche active (11) de facon a etre adjacente a la couche active (11) et qui presente une largeur de bande interdite plus large que celles de la couche barriere (11b) et de la couche de guide d’onde du type n (14).