Boitier de circuit integre pour dispositifs a semi-conducteur ayant une resistance et une inductance electrique amelioree

La presente invention concerne un boitier de circuit integre a semi-conducteur comprenant un reseau de conducteurs (108) qui comprend une plaque a reseau de conducteurs (103a) disposee en-dessous d'une matrice (100), et une zone metallique de liaison (101a) disposee sur au moins deux cotes adjacents de la matrice. L'augmentation de la taille de la zone metallique de liaison (101a) augmente le nombre d'interconnexions entre la zone metallique (101a) et la matrice (100), ce qui permet de reduire la resistance et l'inductance electrique. De plus, l'aire des bornes externes situee dans le prolongement du corps plastique (106) du boitier, est augmentee voire maximisee de sorte que la chaleur peut etre dissipee plus rapidement et les resistances des bornes externes peuvent etre reduites. Le circuit integre peut s'appliquer a des dispositifs MOSFET et la zone metallique de liaison (101a) est utilisee pour la borne source (101). La zone metallique de liaison peut avoir une forme de 'L', de 'C', de 'J', de 'I' ou toute combinaison de ces formes.