On the EBIC Contrast of Dislocations in Si

EBIC contrast in correspondence of the etch-pit rows from room temperature microhardness indentations and from polishing scratches are examined with and without successive mechanical and/or thermal treatments. According to the observations clean dislocations show no contrast, contaminated dislocations show contrast which may be treated by assuming suitable boundary conditions consistent with the existence of space charge cylinders around the dislocations. Contrast bands observed in correspondence of etch-pit rows after suitable treatments are related to point defects introduced together with the dislocations. Relative contrast of screw and edge character dislocations is deduced from the different visibility of half-loop arms. EBIC-Kontrast der Atzgrubenreihen von Zimmertemperatur-Mikroharteeindrucken und von Polierkratzern werden mit und ohne aufeinanderfolgende mechanische und/oder thermische Nachbehandlungen untersucht. Nach den Beobachtungen zeigen reine Versetzungen keinen Kontrast, kontaminierte Versetzungen zeigen Kontrast, der mit der Annahme geeigneter Randbedingungen konsistent mit der Existenz von Raumladungszylindern um die Versetzung behandelt werden kann. Kontrastbander, die in den Atzgrubenreihen nach geeigneten Behandlungen beobachtet werden, lassen sich Punktdefekten zuordnen, die zusammen mit den Versetzungen eingefuhrt werden. Der relative Kontrast der Versetzungen mit Schrauben- und Stufencharakter wird aus der unterschiedlichen Sichtbarkeit von Halbschleifenarmen abgeleitet.