Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor

Peliculas de dioxido de titanio fueron depositadas mediante la liberacion de un aerosol liquido de diisopropoxido de titanio sobre substratos de silicio orientados (100), y empleando oxigeno y nitrogeno como gases de arrastre. Las propiedades cristalinas y morfologicas indican que el proceso de deposito se lleva a cabo mediante los vapores quimicos de los precursores. Esto es fuertemente apoyado por el comportamiento de la taza de crecimiento r g como funcion de la temperatura de deposito, cuya forma de linea indica que el crecimiento esta gobernado por la difusion de los precursores en fase vapor hacia el substrato y la consecuente reaccion de estos en la superficie. Aunque la forma de linea de r g no depende del tipo de gas utilizado en el arrastre del aerosol, el valor absoluto de r g y la energia de activacion E A que caracteriza a la reaccion superficial si. Un ajuste a una ecuacion que toma en cuenta a ambos mecanismos (difusion de vapores y reaccion de superficie) da como resultado: E A ≅ 26.4 KJ/mol o E A =21.4 KJ/mol cuando se utiliza oxigeno o nitrogeno como gas de arrastre, respectivamente.