Intégration d'une couche barrière ald et d'un revêtement ru cvd pour remplissage cu sans vide

Selon divers modes de realisation, l'invention concerne des procedes d'integration d'un depot de couche atomique (ALD) de couches barrieres et d'un depot chimique en phase vapeur (CVD) de revetements Ru pour remplissage Cu de parties etroites en renfoncement pour des dispositifs a semi-conducteurs. Selon un mode de realisation, le procede consiste a utiliser un substrat contenant une partie en renfoncement, a deposer une couche barriere conforme par ALD dans la partie en renfoncement, la couche barriere contenant TaN ou TaAlN, a deposer un revetement Ru conforme par CVD sur la couche barriere, et a remplir la partie en renfoncement de metal Cu.