半導体ウエハ、半導体チップ、および半導体装置の製造方法

半導体ウエハは、厚さ方向に均一な第一キャリア濃度を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の上に設けられたキャリア濃度遷移層と、前記キャリア濃度遷移層の上に設けられ、厚さ方向に均一な第二キャリア濃度を有し、前記第二キャリア濃度は前記第一キャリア濃度よりも低いエピタキシャル層と、を備える。前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度は、厚さ方向に濃度勾配を有する。前記濃度勾配は、前記キャリア濃度遷移層の直下の層と前記キャリア濃度遷移層との界面から膜厚が増加するほどキャリア濃度が低下するような勾配でありかつ前記キャリア濃度遷移層の前記膜厚が増加するほど小さな低下率でキャリア濃度が低下するような勾配である。前記キャリア濃度遷移層の前記キャリア濃度が、第一濃度勾配条件および第二濃度勾配条件とで挟まれる予め定めた濃度範囲内に収まる前記濃度勾配を有する。