A method for treating a semiconductor wafer with a gaseous medium and thus treated semiconductor wafer

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Behandeln einer Halbleiterscheibe mit einem gasformigen Medium, enthaltend Fluorwasserstoff und wenigstens ein die Oberflache der Halbleiterscheibe oxidierendes Oxidationsmittel, dadurch gekennzeichnet, dass das gasformige Medium die Oberflache der Halbleiterscheibe mit einer Relativgeschwindigkeit im Bereich von 40 mm/s bis 300 m/s anstromt. Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Halbleiterscheibe und eine SOI-Scheibe mit geringer Rauhigkeit und Metallkonzentration.