Thin film transistor compositions and related methods

Ein Verfahren zur Ausbildung mindestens eines Transistors auf einem Substrat wird beschrieben. Das Substrat weist ein Polyimid und einen nanoskopischen Fullstoff auf. Das Polyimid ist im wesentlichen oder ganz von starren Monomeren abgeleitet, und der nanoskopische Fullstoff hat ein Aspektverhaltnis von mindestens 3:1. Die Substrate gemas der vorliegenden Offenbarung sind wegen ihrer zumindest teilweise hohen Bestandigkeit gegen hygroskopische Ausdehnung und ihrer relativ hohen Werte der Warme- und Masbestandigkeit besonders gut fur Dunnschichttransistoranwendungen geeignet.