Évaluation du courant d’obscurité des couches actives de photodétecteurs à base de GaAs

La connaissance du courant d’obscurite dans les photodetecteurs permet d’envisager une amelioration de leurs performances optiques et electriques. Dans l’optique d’optimiser la sensibilite spectrale de ces photodetecteurs, il urge d’evaluer le courant d’obscurite afin de le minimiser et pour assurer la stabilite des caracteristiques en fonctionnement. La mesure du courant d’obscurite est effectuee a temperature ambiante sur le GaAs dont la croissance a ete realisee a basses temperatures (GaAsBT) et sur le n- GaAs pour demontrer les caracteristiques electriques. Les mesures sur le courant d’obscurite ont montre l’influence de la temperature de recuit sur l’amplitude de courant. Les asymetries observees seraient dues a la qualite technologique des interfaces. Mots cles: GaAs, LT-GaAs, courant d’obscurite, photodetecteurs pin English Title:  Evaluation of dark current from active layers of photodetectors based on GaAs English Abstract Knowledge of dark current in photodetector allows improving their optical and electrical performance. In order to optimize the spectral sensitivity of photodetectors, it is urgent to evaluate dark current in order to minimize and to ensure the stability of their characteristics in operation. Measurement of dark current is carried out at ambient temperature on GaAs grown at low temperatures (LT-GaAs) and on n-GaAs for demonstrating electrical characteristics. Measurements on the dark current have shown the influence of the annealing temperature on the current amplitude. The observed asymmetry could be due to the technological quality of interfaces. Keywords: GaAs, LT-GaAs, dark current, pin photodetector