Élément de magnétorésistance, son procédé de fabrication et d'utilisation, et procédé de fabrication d'alliage de heusler

L'invention concerne un element qui presente une magnetoresistance elevee, obtenue par utilisation d'un effet de magnetoresistance geante a courant perpendiculaire au plan (CPPGMR) d'un film mince ayant une structure a trois couches de metal ferromagnetique/metal non magnetique/metal ferromagnetique. Cet element de magnetoresistance est pourvu d'une couche de metal ferromagnetique inferieure et d'une couche de metal ferromagnetique superieure, chacune contenant un alliage de Heusler, et une couche d'espacement qui est interposee entre la couche de metal ferromagnetique inferieure et la couche de metal ferromagnetique superieure, la couche d'espacement contenant un alliage d'au moins un element metallique selectionne parmi Ag et Cu et d'au moins un element metallique selectionne parmi des elements metalliques non magnetiques dans les deuxieme a quatrieme periodes du tableau periodique de type a longue periode (a l'exclusion d'un alliage ayant une structure bcc qui est constituee de Cu et Zn, d'un alliage ayant une structure bcc qui est constituee de Cu et Al, d'un alliage ayant une structure bcc qui est constituee de Cu et Be, d'un alliage ayant une structure bcc qui est constituee de Ag et Al, d'un alliage ayant une structure bcc qui est constituee de Ag et Mg, et d'un alliage ayant une structure bcc qui est constituee de Ag et Zn).