Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов
Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов
2020
А.А. Лебедев
А.В. Кириллов
Л.П. Романов
А В Зубов
А.М. Стрельчук
Keywords:
Analytical chemistry
Materials science
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]