Dispositif electroluminescent du groupe iii-v

L'invention concerne une structure semiconducteur qui comprend une region de type n et une region de type p separees par une couche electroluminescente au nitrure du groupe III. La couche electroluminescente au nitrure III presente un parametre de reseau superieur a 3,19 A. Cette structure semiconducteur peut etre obtenue par croissance sur un substrat pourvu d'une base de substance luminescente et d'une couche de germes liee a cette base. Dans certains modes de realisation, une couche de liaison relie la base de substance luminescente a la couche de germes. L'epaisseur de la couche de germes peut etre inferieure a une epaisseur critique de relaxation de la contrainte exercee sur la structure a semi-conducteur, cette contrainte etant relâchee par les dislocations formees dans la couche de germes, ou par le glissement d'une interface entre la couche de germes et la couche de liaison. Dans certains modes de realisation, la base de substance luminescente peut etre separee de la structure semiconducteur et de la couche de germes par gravure de la couche de liaison.