COMPETIÇÃO ENTRE O EFEITO DE INTERDIFUSÃO DE In/Ga E O ACOPLAMENTO ELETRÔNICO EM PONTOS QUÂNTICOS DUPLOS AUTO-ORGANIZADOS DE InAs/GaAs CRESCIDOS POR MBE SOBRE SUBSTRATOS DE GaAs (001)

Pontos quânticos (PQs) crescidos pela tecnica de Stranski-Krastanov (SK) sao ilhas auto-organizadas, favorecidas pelo relaxamento da energia elastica que surge devido a diferenca de parâmetro de rede entre as camadas epitaxiais e o substrato. Um dos desafios no crescimento de PQs e obter o controle do tamanho e distribuicao das ilhas nas amostras, para que a largura de linha espectral seja estreita, proporcionando melhor eficiencia para aplicacao em dispositivos opticos e optoeletronicos. Estruturas de PQs empilhados verticalmente apresentam melhor homogeneidade de tamanhos na camada superior e um deslocamento da emissao, associada a esta camada, para regiao de menor energia, que e estrategico para aplicacao numa regiao de emissao na janela espectral das fibras opticas. Neste trabalho investigamos PQs de InAs empilhados auto-organizados crescidos sobre GaAs atraves da tecnica de Epitaxia por Feixe Molecular – MBE com diferente separacao ( d ) entre as duas camadas de QDs ( d variando de 0 a 20 nm). A partir dos espectros de fotoluminescencia, observou-se uma emissao em uma regiao de maior energia proveniente da segunda camada (blue-shift). Este comportamento foi atribuido ao efeito de interdifusao In-Ga. Para camadas com d acima de 20nm, o efeito de interdifusao diminui, prevalecendo o efeito do acoplamento eletronico.