Structures de dispositif semi-conducteur utilisant des sulfures metalliques

Selon l'invention, un dispositif semi-conducteur (30) comprend un substrat dope en continu (32) pourvu d'une surface (44), une couche de matiere dielectrique a base de soufre placee sur la surface du substrat dope en continu, une couche de matiere dielectrique (42) disposee sur la couche de matiere dielectrique a base de soufre, et une region de contact de grille (46) positionnee sur ladite couche de matiere dielectrique. Le substrat dope en continu contient du silicium (Si) et la matiere dielectrique a base de soufre renferme un sulfure metallique de transition tel que le soufre de zircone de strontium (SrZrS), le soufre de zircone de baryum (BaZrS), le soufre d'hafnium de strontium (SrHfS), le soufre d'hafnium de baryum (BaHfS) ou similaire. En outre, la region de contact de grille comporte une couche d'un compose selectionne parmi le soufre de titane de strontium (SrTiS), le soufre de titane de baryum (BaTiS) ou similaire disposee adjacente a la couche de matiere dielectrique.