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Acemap > Paper > Si基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル膜の成膜機構及びそのショットキー障壁特性 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

Si基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル膜の成膜機構及びそのショットキー障壁特性 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

1998 
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