Enjeux de siliciuration pour des technologies avancées de la microélectronique : étude de l'interaction entre les siliciures de NiPt et le phosphore

Dans le but d’integrer des technologies CMOS avec des cellules memoires, une seule etape de siliciuration de tous les contacts permettrait de diminuer les couts et de faciliter l’integration. La formation de siliciure simultanement au niveau des sources, drains et grilles avec du NiPt(10 at.%) est necessaire pour la technologie FD-SOI parce que cette derniere induit des specifications exigeantes en ce qui concerne la siliciuration. En effet, le siliciure forme avec le procede Salicide se doit d’etre tres fin et stable pour contenir le phenomene de diffusion anormale du Ni qui pourrait etre a l’origine de fuites de la jonction. De plus, la reduction des dimensions des cellules memoires necessite l’incorporation de dopants d’une maniere alternative a l’implantation ionique. L’introduction de dopage au phosphore de maniere in-situ pendant le depot de silicium necessite la comprehension de l’interaction du siliciure et des dopants. Dans cette etude, differents types de dopage sont etudies dans des substrats mono et poly-cristallins afin de correspondre aux multiples types de silicium qui sont presents dans les technologies et qui necessitent une siliciuration. La redistribution du phosphore entrainee par la formation du siliciure est etudiee et discutee a l’aide de caracterisations par sonde atomique tomographique et spectrometrie de masse a ionisation secondaire a temps de vol. De plus, la reaction a l’etat solide est etudiee a l’aide de diffraction par rayons-X afin de comprendre l’impact des dopants sur la sequence de phases. Finalement, la redistribution des dopants observee experimentalement est etayee par des simulations basees sur un modele par elements finis