Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
High‐k/SiO2界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察
High‐k/SiO2界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察
2017
hotta yasuyuki
saeki fumiya
nisi sintarou
itou mei
nakanisi hidetosi
yosida haruhiko
sinsen kouzi
satou sin'iti
to naisei kiti
kawa yama gan
Keywords:
High-κ dielectric
Radiochemistry
Chemistry
Analytical chemistry
Materials science
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]