雷射加熱過程中Sb2在Ge(100)晶面上的擴散現象

本研究中，主要探討的是利用波長1064nm的DPSS雷射，加熱表面時的變化。雷射照射Ge(100)表面時的溫度，會隨著雷射光和樣品表面法線向量所夾的角度、以及雷射光是否經過viewport有關。而利用雷射作為加熱源，樣品表面降溫速率非常快，有別於傳統的加熱方式，可減少等待樣品降溫的時間。 選用Sb atom吸附於Ge(100)晶面上作為觀察對象，Sb atom吸附於Ge(100)晶面上分為四種型態，以雷射光照射2.5分鐘兩次，討論成對的Sb2（型態C）於加熱其間的運動。經過第一次的雷射照射2.5分鐘後，可將Sb2的運動型態分為六型七類，約有一半的機率，成對的Sb2傾向分成兩個Sb2，並垂直Ge dimer row的方向運動；其次傾向位置沒有改變。而第二次雷射照射時，由於初始狀態的不同，形成了和第一次照射雷射時的差異。針對垂直Ge dimer row的方向，探討位移統計圖分佈不均的現象。並設計程式模擬分子的運動，了解成對的Sb2於雷射照射時的運動行為。根據不同的初始狀態，計算系統的表面活化能：(a)1.005±0.054eV、(b)0.985±0.053eV；兩個Sb2分子間的吸引力大小約為20.0meV。