Lingot sur substrat nitrure iii-v et procede de fabrication et d'utilisation de celui-ci

L'invention concerne un lingot forme par tirage en phase vapeur a debit eleve de lingots (barreaux) de nitrure des groupes III-V sur des germes cristallins de nitrure natif (figure 1), a partir desquels on peut produire des plaquettes pour la fabrication de structures microelectroniques (figure 5). Le lingot presente une qualite de dispositif microelectronique, p. ex. dimension transversale superieure a 1 centimetre, longueur superieure a 1 millimetre et densite de defauts de surface inferieure a 107 defauts cm-2. Le lingot de nitrure des groupes III-V peut etre forme par tirage d'une matiere de nitrure des groupes III-V sur un cristal germe correspondant de nitrure des groupes III-V, par epitaxie en phase vapeur a une vitesse de tirage superieure a 20 micrometres par heure.