Etude des propriétés ferromagnétiques de (Ga, Mn) As au moyen de l'hydrogénation

Le (Ga,Mn)As est un materiau de choix pour l'electronique de spin, etant a la fois semiconducteur et ferromagnetique, a la suite de l'interaction d'echange entre les spins des atomes de manganese (3d54s2), et ceux des trous qu'ils apportent. Sa temperature de Curie (Tc) se situe typiquement entre 50 et 150 K. A_n de decoupler les dopages magnetique (xMn) et electrique (p), une technique de passivation par hydrogene a ete developpee, pour former des complexes (Mn,H) electriquement neutres. Ses e_ets magnetiques (apparition d'une phase paramagnetique), electriques (diminution de p) et structuraux sur la couche ont tout d'abord ete etudies. Puis, des echantillons de dopage croissant ont ete fabriques grâce a ce procede, pour des couches en tension ou en compression. Un bon accord avec les previsions de la theorie de champ moyen a ete obtenu pour l'evolution de leur anisotropie magnetique, et de leurs Tc en fonction de la contrainte epitaxiale, et de la densite de porteurs. Une derniere etude s'est penchee sur les domaines magnetiques et les mecanismes de renversement d'aimantation de couches continues, puis de microstructures monodomaines aimantees perpendiculairement au plan. Un procede de passivation locale par hydrogenation a ete developpe pour structurer magnetiquement des couches de (Ga,Mn)As (taille minimale des motifs _ 200 nm). Il a entre autres permis d'abaisser fortement les champs de retournement d'aimantation de reseaux de plots microniques, par rapport a ceux obtenus dans des structures fabriquees par gravure. En_n, des resultats preliminaires de deplacement de parois de domaines par un champ magn etique ou un courant polarise ont ete obtenus dans des pistes structurees par hydrogenation.