Eingebettete Verformungsschicht in dünnen SOI-Transistoren und Verfahren zur Herstellung desselben

Durch Bilden einer tiefen Aussparung durch die vergrabene isolierende Schicht und durch Aufwachsen eines verformten Halbleitermaterials kann ein verbesserter Verformung erzeugender Mechanismus in SOI-artigen Transistoren bereitgestellt werden. Folglich kann die Verformung auch in effizienter Weise durch das eingebettete verformte Halbleitermaterial uber die gesamte aktive Schicht hinweg erzeugt werden, wodurch das Leistungsverhalten von Transistorbauelementen, in denen zwei Kanalgebiete gebildet sein konnen, deutlich verbessert wird.