Dispositif de puissance à trois bornes et à vitesse de commutation élevée et procédé de fabrication

L'invention concerne un dispositif de puissance (10) possedant une premiere borne de conduction du courant (A) et une seconde borne de conduction du courant (K) ; une borne de commande (G) recevant, en utilisation, une tension de commande (VGATE) du dispositif de puissance (10) ; un dispositif de thyristor (12) ; un premier dispositif de commutation a grille isolee (14) connecte en serie entre la premiere et la seconde borne de conduction. Le premier dispositif de commutation a grille isolee (14) est dote d'une borne de grille connectee a la borne de commande (G) ; le dispositif de thyristor (12) est dote d'une borne de base (16). Le dispositif de puissance (10) est, en outre, dote d'un second dispositif de commutation a grille isolee (18), connecte entre la premiere borne de conduction du courant (A) et la borne de base (16) du dispositif de thyristor (12), et presentant une borne de grille respective connectee a la borne de commande (G) ; il est egalement dote d'une diode de Zener (19), connectee entre la borne de base (16) du dispositif de thyristor (12) et la seconde borne de conduction du courant (K) de facon a permettre l'extraction de courant a partir de la borne de base (16) dans une condition de fonctionnement donnee.