Traitement destine aux plaquettes de silicium

Une plaquette de silicium destinee aux semi-conducteurs presente une concentration en oxygene de 1x10?17 a 2x1018? atomes/cm3 et une concentration en carbone de 1x1016 atomes/cm3. Dans une atmosphere oxydante ou inerte, on la porte a 1000 a 1300 °C pendant 30 minutes a 5 heures. En plus, on peut eventuellement polir comme un miroir la surface principale de cette plaquette une fois qu'elle a subi ce traitement thermique. La presente invention vise a limiter le nombre de defauts presents dans les plaquettes a semi-conducteurs et a ameliorer le rendement de leur fabrication.