Croissance pendeoepitaxiale et epitaxiale laterale en une seule etape de couches epitaxiales de nitrure de groupe iii

Procede de fabrication d'une structure de semi-conducteur a base de nitrure de gallium sur un substrat, ce qui consiste a creer un masque (14) possedant au moins une ouverture (6) directement sur le substrat (18), a effectuer la croissance d'une couche tampon (12) a travers l'ouverture et a effectuer la croissance d'une couche (20) de nitrure de gallium vers le haut depuis la couche tampon et dans un sens lateral a travers le masque. Pendant la croissance du nitrure de gallium a partir du masque, on maintient les vitesses de croissance verticale et horizontale de la couche de nitrure de gallium a des niveaux suffisants pour empecher que la nucleation de materiaux polycristallins (30) sur ledit masque interrompe la croissance laterale de la couche de nitrure de gallium. Dans un autre mode de realisation, ce procede consiste a creer au moins une partie surelevee (15) definissant des tranchees contigues (18) dans le substrat et a creer un masque (14) sur ce substrat (10), ce masque possedant au moins une ouverture (16) au-dessus de la surface superieure de la partie surelevee. On peut effectuer la croissance d'une couche tampon (12) a partir de la surface superieure de la partie surelevee. On effectue ensuite la croissance laterale de la couche (26) de nitrure de gallium par pendeoepitaxie au-dessus des tranchees.