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Acemap > Paper > 4H‐SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション~界面における炭素関連欠陥の電子状態~

4H‐SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション~界面における炭素関連欠陥の電子状態~

2017 
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