Thin film magnetic memory device with a data read current setting function

Dunnfilmmagnetspeichervorrichtung mit: einer Mehrzahl von Speicherzellen (MC), die jeweils eine Datenspeicherung durchfuhren; und einer Mehrzahl von Datenleitungen (BL, /BL), die gemas vorbestimmten Segmenten der Mehrzahl von Speicherzellen jeweils angeordnet sind, wobei jede der Mehrzahl von Speicherzellen einen Magnetspeicherbereich (TMR) enthalt, der einen ersten oder zweiten elektrischen Widerstand (Rmax und Rmin) gemas einem Pegel der gespeicherten Daten aufweist, und ein Zugriffselement (ATR), das elektrisch mit dem Magnetspeicherbereich in Reihe geschaltet ist, zwischen einer Entsprechenden der Mehrzahl von Datenleitungen und einer ersten Spannung (Vss), und selektiv eingeschaltet wird, wobei die Dunnfilmmagnetspeichervorrichtung ferner enthalt: eine Stromversorgungsschaltung (50) zur Lieferung eines Stroms (Is), der durch den Magnetspeicherbereich fliest, wobei die Stromversorgungsschaltung einen ersten konstanten Strom an mindestens eine der Mehrzahl von Datenleitungen im Normaloperationsmodus liefert, und einen zweiten Konstantstrom, der groser ist als der erste Konstantstrom, an mindestens eine der Mehrzahl von Datenleitungen in einem anderen Operationsmodus;...