単結晶、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造、ウエハおよび製品

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。 【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ 2 あたり１０ 7 未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 【選択図】なし