Mosfets à canal n comprenant des éléments de contrainte duale et procédés de fabrication de ceux-ci

La presente invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant au moins un transistor a effet de champ a canal n (n-FET). Ce n-FET comprend, en particulier, une premiere et une seconde couche d'element de contrainte a motif qui contiennent toutes les deux un semiconducteur monocristallin soumis a une contrainte de traction carbone substitue. La premiere couche d'element de contrainte a motif possede une premiere concentration de carbone et est situee dans des region d'extension source et drain (S/D) du n-FET a une premiere profondeur. La seconde couche d'element de contrainte a motif possede une seconde concentration de carbone plus elevee et est situee dans des region S/D du n-FET a une seconde profondeur plus profonde. Ce n-FET avec une premiere et une seconde couche d'element de contrainte a motif a concentrations de carbone differentes et a profondeurs differentes permet d'obtenir un meilleur profil contraint pour renforcer la mobilite des electrons dans la region canal de ce n-FET.