ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。 【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一の添加金属であるＺｒが添加されており、このターゲットをスパッタリングして得られる第一の導電膜はＣｕを主成分とし、Ｚｒを含有する。このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。ターゲット１１に更に、Ｍｎと、Ｚｎと、Ｓｎ等の第二の添加金属を添加すればシリコン、ガラス、ＩＴＯに対する密着性がより高くなる。 【選択図】図２