Borne de connexion, boîtier semi-conducteur utilisant la borne de connexion et procédé de fabrication de boîtier semi-conducteur

La fiabilite de connexion d'une borne de connexion dotee d'un film obtenu par dorure par immersion est amelioree. Une borne de connexion est dotee d'une couche conductrice ; d'un film obtenu par nickelage autocatalytique ; d'un premier film obtenu par depot de palladium, c.-a.-d., un film obtenu par depot de palladium autocatalytique ou par immersion possedant une purete de 99 % en masse ou superieure ; un second film obtenu par depot de palladium, c.-a.-d., un film obtenu par depot de palladium autocatalytique possedant une purete de 90 % en masse ou superieure mais non superieure a 99 % en masse ; et un film obtenu par dorure par immersion. Dans la borne de connexion, le film obtenu par nickelage autocatalytique, le premier film obtenu par depot de palladium, le second film obtenu par depot de palladium et le film obtenu par dorure par immersion sont lamines dans cet ordre sur une face de la couche conductrice, et la couche obtenue par dorure par immersion est en position de couche superieure sur la face opposee a la couche conductrice.