Dispositif à semi-conducteur, son procédé de fabrication, module de puissance et dispositif de conversion de puissance

L'invention concerne un dispositif a semi-conducteur au carbure de silicium possedant d'excellentes caracteristiques de tension de tenue. Dans un mode de realisation de la presente invention, des ions Al sont injectes dans un substrat 4H-SiC du type n, ayant une surface qui est decalee de 4 degres par rapport au plan (0001) dans la direction [11-20], dans une direction inclinee d'au moins 0 degres de la direction [000-1] vers la direction [11-20] ou d'au moins 0 degres et de moins de 4 degres de la direction [000-1] vers la direction [-1-120], formant un FLR au niveau d'une couche epitaxiale du 4H-SiC forme au niveau de la surface du substrat 4H-SiC du type n. Dans la forme du FLR, au niveau de l'extremite dans le sens oppose au sens d'inclinaison du FLR au niveau de la surface superieure de la couche epitaxiale, l'angle forme par la surface superieure de la couche epitaxiale et la limite metallurgique du FLR est inferieur a 90 degres.