INTERCAMBIO POR REACCIÓN EN FASE SÓLIDA DE IMPUREZAS Hf EN SITIOS DE CATIÓN DEL SEMICONDUCTOR DE ANCHO GAP C-Tm2O3

En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas donaras Hf en sitios sustitucionales de cation del semiconductor de ancho gap C-Tm2O3. El proceso de dopaje se realizo por reaccion en fase solida, asistida por molido mecanico, de m-HfO2 (activado por irradiacion neutronica) y de C-Tm2O3. Atomos 181Ta, obtenidos en el decaimiento β- del 181Hf (indistinguible de los atomos de Hf inactivos desde el punto de vista del intercambio ionico), fueron utilizados como sondas en los experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo realizados luego de cada etapa del proceso de dopaje. Las interacciones hiperfinas medidas en sitios 181Ta permitieron la caracterizacion del gradiente de campo electrico (GCE) en sitios representativos de la localizacion del Hf en cada etapa del proceso. La eficiencia y el caracter sustitucional del proceso de intercambio es discutido y demostrado a la luz de una sistematica establecida para GCEs en oxidos de tierras raras isoestructurales (bixbitas).