Transistor a electron unique, transistor a effet de champ, capteur et son procede de production, et procede de detection

L'invention concerne un transistor a electron unique comprenant au moins un substrat (1), une electrode de source (3) et une electrode de drain (4) formees en haut du substrat (1) et opposees l'une a l'autre, ainsi qu'un canal place entre l'electrode source (3) et l'electrode de drain (4). Ledit canal est compose de fibres ultrafines (CNT) (7). Ainsi constitue, un capteur peut presenter une excellente sensibilite.