Gravure au plasma assistée par gaz hydrofluorocarboné pour la fabrication d'interconnexions

La presente invention concerne, dans un mode de realisation, un procede de gravure au plasma assiste par gaz hydrofluorocarbone pour la fabrication d'interconnexions qui comprend de fournir une couche d'un materiau dielectrique et de graver une tranchee dans la couche du materiau dielectrique en appliquant un melange d'un gaz de gravure dielectrique agressif et d'un gaz de gravure de polymerisation a la couche du materiau dielectrique. Dans un autre mode de realisation, un circuit integre comprend une pluralite de dispositifs a semi-conducteur et une pluralite de lignes conductrices reliant la pluralite de dispositifs a semi-conducteur. Un pas de la pluralite de lignes conductrices est d'environ vingt-huit nanometres.