Wafer of silicon and process for their preparation

Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium mit einer Vorderseite und mit einer Ruckseite und mit einer denuded zone, die sich von der Vorderseite zur Ruckseite bis zu einer Tiefe erstreckt, die zwischen einem Zentrum und einem Rand der Halbleiterscheibe im Durchschnitt nicht weniger als 8 µm und nicht mehr als 18 µm betragt, und mit einer Region, die an die denuded zone angrenzt und BMDs aufweist, deren Dichte in einem Abstand von 30 µm zur Vorderseite nicht weniger als 2 × 10 9 cm –3 betragt. Das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe umfasst das Bereitstellen einer Substratscheibe aus einkristallinem Silizium und eine RTA-Behandlung der Substratscheibe, die untergliedert ist in eine erste Warmebehandlung der Substratscheibe in einer Atmosphare bestehend aus Argon und in eine zweite Warmebehandlung der Substratscheibe in einer Atmosphare bestehend aus Argon und Ammoniak.