Procede de fabrication d'un transistor a canal t inverse

L'invention concerne un procede de creation d'un transistor a effet de champ T inverse (10). Le procede consiste notamment a creer une zone active horizontale (14) et une zone active verticale (16) sur un substrat (12). Il consiste egalement a former un espaceur lateral (22) sur un premier cote de la zone active verticale et un second cote de la zone active verticale (16). En outre, le procede consiste notamment a enlever une partie de la zone active horizontale (14), qui n'est pas couverte par l'espaceur lateral (22), ainsi que l'espaceur lateral (22). Le procede consiste egalement a former un dielectrique de grille (26) sur au moins une premiere partie de la zone active horizontale (14) et au moins une premiere partie de la zone active verticale (16), a former une electrode de grille (28) sur le dielectrique de grille (26), et a former une zone source (30) et une zone drain (32) sur au moins une seconde partie de la zone active horizontale et au moins une seconde partie de la zone active verticale (16).