Dépôt couche par couche de films d'oxyde dopés par du carbone

Des modes de realisation de l'invention concernent le depot de matiere a base de carbone conforme. Dans un mode de realisation, le procede comprend le depot d'une couche dielectrique sacrificielle ayant une epaisseur predeterminee sur un substrat, la formation d'elements a motifs sur le substrat par elimination de parties de la couche dielectrique sacrificielle afin d'exposer une surface superieure du substrat, l'introduction d'une source d'hydrocarbures, d'un gaz precurseur de plasma et d'un gaz de dilution dans la chambre de traitement, un debit volumetrique de source d'hydrocarbures : gaz precurseur de plasma : gaz de dilution se situant dans un rapport de 1:0,5:20, la generation d'un plasma a une temperature de depot d'environ 300°C a environ 500°C afin de deposer une couche de carbone amorphe conforme sur les elements a motifs et la surface superieure exposee du substrat, l'elimination de facon selective de la couche de carbone amorphe a partir d'une surface superieure des elements a motifs et de la surface superieure du substrat, et l'elimination des elements a motifs.