Composition de couche mince inférieure de résist et procédé pour former une structure à double damasquinage

L'invention concerne une composition de couche mince inferieure de resist, qui a une teneur en atome d'azote de 10 % en masse ou plus dans une couche mince inferieure de resist lorsque la couche mince inferieure de resist d'epaisseur de 300 nm est formee par l'application d'un resist sur un materiau de base et sechage du resist par la chaleur a 250°C pendant 60 secondes.